고주파 응용을 위한 전문 6.8nH RF 인덕터

스마트폰, 개인 장치 및 고급 RF 회로 응용 프로그램을 위해 설계된 높은 자기 공진 주파수를 가진 컴팩트 다층 칩 인덕터로, 우수한 열 안정성을 제공합니다.

6.8nH, 250mA, 0603 RF 인덕터, 다층 칩 인덕터 - 고주파 다층 칩 인덕터
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6.8nH, 250mA, 0603 RF 인덕터, 다층 칩 인덕터

MH06036N8JS

다층 칩 인덕터, 일반 등급

6.8nH, 250mA, 0603 다층 칩 인덕터 MH 시리즈는 고자기 공진 주파수(SRF)를 가진 컴팩트하고 저프로파일의 구성 요소로, 세라믹 본체는 -55°C에서 +125°C까지의 작동 온도를 견딜 수 있습니다. 이들은 스마트폰, 개인 장치, 고주파 회로 응용 분야에 적합합니다.

제품 특징
  • 다층 구조
  • 작동 온도: -55°C ~ +125°C (자체 온도 상승 포함)
제품 응용
  • 스마트폰, 개인 기기
  • 고주파 회로
제품 카테고리RF 인덕터 - 다층 칩 인덕터인덕턴스 (µH)0.0068
부품 번호MH06036N8JS허용오차±5%
등급일반RDC (Ω)0.39
길이 (mm)0.6IDC (A)0.25
너비 (mm)0.3작동 온도(°C) (낮음)-55
높이 (mm)0.3작동 온도(°C) (높음)125
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다층 칩 인덕터 MH0603 시리즈 데이터시트
다층 칩 인덕터 MH0603 시리즈 데이터시트

참고용 치수, 전기적 특성 및 곡선 다이어그램 포함

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다양한 작동 조건에서 열 안정성을 유지하면서 컴팩트한 스마트폰 디자인에서 우수한 RF 성능을 어떻게 달성할 수 있습니까?

ABC ATEC의 6.8nH 다층 칩 RF 인덕터는 컴팩트한 0603 패키지에서 뛰어난 고자기 공진 주파수 성능을 제공하여 RF 회로 효율성을 저하시키지 않으면서 소형 스마트폰 디자인을 가능하게 합니다. 세라믹 바디 구조는 -55°C에서 +125°C까지 신뢰할 수 있는 작동을 보장하며, 변동이 심한 글로벌 시장에서 스마트폰이 요구하는 열적 안정성을 제공합니다. 우리의 IATF16949 인증 제조 공정은 고주파 회로에 원활하게 통합될 수 있도록 일관된 품질과 정밀 인덕턴스 허용오차(±5%)를 보장합니다. 당사의 45년간의 인덕터 전문 지식을 통해 귀하의 스마트폰 RF 성능을 최적화하세요—맞춤형 솔루션과 경쟁력 있는 대량 가격을 위해 ABC ATEC에 문의하십시오.

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