고주파 응용을 위한 전문 1nH RF 다층 칩 인덕터

±0.3nH 허용오차와 확장된 작동 온도 범위를 갖춘 컴팩트 1005 사이즈 다층 칩 인덕터

1nH, 400mA, 1005 RF 인덕터, 다층 칩 인덕터 - 고주파 다층 칩 인덕터
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1nH, 400mA, 1005 RF 인덕터, 다층 칩 인덕터

MH10051N0DL

다층 칩 인덕터, 일반 등급

1nH, 400mA, 1005 다층 칩 인덕터 MH 시리즈는 고자기 공진 주파수(SRF)를 가진 컴팩트하고 저프로파일의 구성 요소로, 세라믹 본체는 -55°C에서 +125°C까지의 작동 온도를 견딜 수 있습니다. 이들은 스마트폰, 개인 장치, 고주파 회로 응용 분야에 적합합니다.

제품 특징
  • 다층 구조
  • 작동 온도: -55°C ~ +125°C (자체 온도 상승 포함)
제품 응용 프로그램
  • 스마트폰, 개인 기기
  • 고주파 회로
제품 카테고리RF 인덕터 - 다층 칩 인덕터인덕턴스 (µH)0.001
부품 번호MH10051N0DL허용오차±0.3nH
등급일반RDC (Ω)0.07
길이 (mm)1IDC (A)0.4
너비 (mm)0.5작동 온도(°C) (낮음)-55
높이 (mm)0.5작동 온도(°C) (높음)125
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다층 칩 인덕터 MH1005 시리즈 데이터시트
다층 칩 인덕터 MH1005 시리즈 데이터시트

참고용 치수, 전기적 특성 및 곡선 다이어그램 포함

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차세대 스마트폰 디자인을 위한 엄격한 허용 오차 요구 사항을 충족하는 초소형 RF 인덕터를 어떻게 조달할 수 있습니까?

ABC ATEC의 MH10051N0DL 다층 칩 인덕터는 스마트폰 OEM이 요구하는 뛰어난 ±0.3nH 허용 오차 정밀도와 높은 자기 공진 주파수 성능을 갖춘 컴팩트한 1005 크기를 제공합니다.45년의 전문 인덕터 제조 경험과 IATF16949 인증을 바탕으로, 대량 생산에 대한 일관된 품질을 보장합니다.스마트폰 RF 회로 설계에 대한 맞춤 사양 및 대량 가격 책정을 논의하려면 기술 팀에 문의하십시오.

이 다층 칩 인덕터는 컴팩트한 크기, 낮은 프로파일 및 높은 주파수 성능이 중요한 RF 회로에서 최적의 성능을 제공하도록 설계되었습니다.세라믹 바디 구조는 극한의 온도 변화에서도 신뢰할 수 있는 작동을 가능하게 하며, 0.07Ω의 DC 저항과 0.4A의 정격 전류는 공간이 제한된 응용 프로그램을 위한 효율적인 전력 처리를 제공합니다.IATF16949 인증 제조업체로서, ABC ATEC는 모든 MH10051N0DL 인덕터가 최고의 품질 기준을 충족한다고 보장합니다.차세대 스마트폰, 웨어러블 장치 또는 컴팩트 RF 구성 요소가 필요한 개인 전자 제품을 설계하든, 우리의 정밀 다층 칩 인덕터는 귀하의 애플리케이션이 요구하는 신뢰성과 성능을 제공합니다.