Professionelle RF-Keramik-Drahtgewickelte Chip-Induktivitätslösungen

Hochleistungs-47nH-Induktor mit überlegenen Q-Faktor und Selbstresonanzfrequenz für Telekommunikationsanwendungen

47nH, 1000mA, 1210 RF-Induktivität, keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor - Hoch-Q und SRF RF Keramikdraht gewickelter Chip-Induktor
  • 47nH, 1000mA, 1210 RF-Induktivität, keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor - Hoch-Q und SRF RF Keramikdraht gewickelter Chip-Induktor

47nH, 1000mA, 1210 RF-Induktivität, keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor

SWI1210CT47N

RF Keramikdraht gewickelter Chip-Induktor, allgemeine Klasse

47nH, 1000mA, 1210 RF Keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor SWI CT-Serie mit minimaler Toleranz von 2% verfügbar, fortschrittlich in höherer Selbstresonanzfrequenz (SRF), hoher Q-Faktor und wird häufig in Kommunikationsanwendungen wie Mobiltelefonen, Kabelmodems, ADSL, Repeatern, Bluetooth und anderen elektronischen Geräten verwendet.

Produkteigenschaften
  • Höhere Selbstresonanzfrequenz (SRF)
  • Hoher Q-Faktor
  • Enger Toleranzbereich ± 0,2nH und 2% verfügbar
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ +125°C (einschließlich Selbsttemperaturerhöhung)
Produktanwendungen
  • Metaverse-Anwendung
  • RF-Schaltungen
Produktkategorie RF-Induktivität - Keramikdraht gewickelte Chip-Induktivität Induktivität (µH) 0.047
Teilenummer SWI1210CT47N Toleranz ±2%
Grad Allgemein RDC (Ω) 0.08
Länge (mm) 3.2 IDC (A) 1
Breite (mm) 2.6 Betriebstemp.°C (NIEDRIG) -40
Höhe (mm) 2.1 Betriebstemp.°C (HOCH) 125
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RF Keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor SWI1210CT Serie Datenblatt
RF Keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor SWI1210CT Serie Datenblatt

Enthält Abmessungen, elektrische Eigenschaften und Kurvendiagramme zu Ihrer Referenz

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