
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
1µH, 2.3A, 3015 Leistung +C1992:C2004Induktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT1R0N
1uH, 2.3A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 2,1A, 3015 Leistungsinduktivität, halb abgeschirmte Induktivität
TPI3015CT1R5N
1,5uH, 2,1A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 2A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI3015CT2R2M
2,2uH, 2A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,7µH, 1,95A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI3015CT2R7M
2,7uH, 1,95A, 3015 semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 1,8A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT3R3M
3,3uH, 1,8A, 3015 semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 1,6A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT4R7M
4,7uH, 1,6A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 1,4A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT5R6M
5,6uH, 1,4A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 1,3A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT6R8M
6,8uH, 1,3A, 3015 semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen10µH, 1.1A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
TPI3015CT100M
10uH, 1.1A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen15µH, 1A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
TPI3015CT150M
Der 15uH, 1A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen18µH, 0,9A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT180M
Der 18uH, 0.9A, 3015 semi-abgeschirmte SMD-Leistungsinduktor ist für einen Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen22µH, 0,8A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
TPI3015CT220M
22uH, 0.8A, 3015 halbgeschirmter SMD-Leistungsinduktor ist für Ferritkern mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.