51nH, 300mA, 0402 RF-Induktivität, keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor
SWI0402CM51N
RF Keramikdraht gewickelter Chip-Induktor, allgemeine Klasse
51nH, 300mA, 0402 RF Keramische Drahtgewickelte Chip-Induktivität SWI CM-Serie ist in den Gehäusegrößen 0402 und 0603 mit einer minimalen Toleranz von 2% erhältlich, keramisches Material mit hoher Selbstresonanzfrequenz (SRF) und hohem Q-Faktor, was sie ideal für RF-Abgleichschaltungen, Drosselschaltungen, die hohe Stromstärken verarbeiten können, und Antennenabgleichschaltungen macht.
Produkteigenschaften
- Höhere Selbstresonanzfrequenz (SRF)
- Hoher Q-Faktor
- Enge Toleranz 2% verfügbar
- Betriebstemperatur: -40°C ~ +125°C (einschließlich Selbsttemperaturerhöhung)
Produktanwendungen
- RF-Abgleichschaltungen erfordern Q-Faktor-Eigenschaften
- Drosselschaltungen, die hohe Stromstärken verarbeiten können
- Antennenabgleichschaltungen
| Produktkategorie | RF-Induktivität - Keramikdraht gewickelte Chip-Induktivität | Induktivität (µH) | 0.051 |
| Teilenummer | SWI0402CM51N | Toleranz | ±2% |
| Grad | Allgemein | RDC (Ω) | 1.08 |
| Länge (mm) | 1 | IDC (A) | 0.3 |
| Breite (mm) | 0.55 | Betriebstemp.°C (NIEDRIG) | -40 |
| Höhe (mm) | 0.5 | Betriebstemp.°C (HOCH) | 125 |
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RF Keramischer Drahtgewickelter Chip-Induktor SWI0402CM Serien-Datenblatt
Enthält Abmessungen, elektrische Eigenschaften und Kurvendiagramme zu Ihrer Referenz
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Wie können Sie eine optimale Impedanzanpassung in kompakten RF-Schaltungen erreichen, während Sie die Einfügedämpfung minimieren und eine enge Toleranzkontrolle aufrechterhalten?
Der SWI0402CM51NK keramische RF-Induktor bietet einen außergewöhnlichen Q-Faktor und eine Selbstresonanzfrequenz in einem kompakten 0402-Gehäuse, was eine präzise RF-Anpassung mit minimaler Signalverschlechterung ermöglicht.Unsere ±2%-Toleranzspezifikation und die Hochfrequenzeigenschaften gewährleisten, dass Ihre RF-Abgleichschaltungen die Entwurfsziele zuverlässig erreichen.Kontaktieren Sie ABC ATEC, um zu besprechen, wie unsere 45-jährige Expertise in Induktivitäten die Leistung Ihrer RF-Schaltungen optimieren und die Markteinführungszeit Ihrer drahtlosen Kommunikationsprodukte verkürzen kann.
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