Induttore a Chip Multistrato RF Professionale per Applicazioni ad Alta Frequenza

Induttore compatto da 8,2nH con alta frequenza di auto-risonanza per dispositivi smart e circuiti ad alta frequenza

Induttore RF 8.2nH, 300mA, 1005, Induttore a Chip Multistrato - Induttore a chip multistrato ad alta frequenza
  • Induttore RF 8.2nH, 300mA, 1005, Induttore a Chip Multistrato - Induttore a chip multistrato ad alta frequenza

Induttore RF 8.2nH, 300mA, 1005, Induttore a Chip Multistrato

MH10058N2JL

Induttore a chip multistrato, grado generale

Gli induttori a chip multilayer della serie MH da 8.2nH, 300mA, 1005 sono componenti compatti e a basso profilo con alta frequenza di risonanza propria (SRF) e corpo in ceramica che può resistere a temperature di funzionamento da -55°C a +125°C. Sono ben adatti per l'uso in smartphone, dispositivi personali e applicazioni di circuiti ad alta frequenza.

Caratteristiche del prodotto
  • Struttura multistrato
  • Temperatura di funzionamento: -55°C ~ +125°C (incluso l'aumento di temperatura auto-generato)
Applicazioni del prodotto
  • Smartphone, dispositivi personali
  • Circuiti ad alta frequenza
Categoria di Prodotto Induttore RF - Induttore Chip Multilayer Induttanza (µH) 0.0082
Numero di parte MH10058N2JL Tolleranza ±5%
Grado Generale RDC (Ω) 0.24
Lunghezza (mm) 1 IDC (A) 0.3
Larghezza (mm) 0.5 Temperatura di funzionamento.°C (BASSA) -55
Altezza (mm) 0.5 Temperatura di funzionamento.°C (ALTA) 125
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Scheda tecnica dell'induttore a chip multistrato serie MH1005
Scheda tecnica dell'induttore a chip multistrato serie MH1005

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