Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico, AEC-Q200

Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico e AEC-Q200

Induttore di potenza 10µH, 3.1A, 8040, induttore semi-shielded - Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico e AEC-Q200
  • Induttore di potenza 10µH, 3.1A, 8040, induttore semi-shielded - Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico e AEC-Q200

Induttore di potenza 10µH, 3.1A, 8040, induttore semi-shielded

MRN8040100MHB

Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico, AEC-Q200

L'induttore di potenza automobilistico SMD semi-scremato da 10uH, 3.1A è progettato per un nucleo a tamburo in ferrite con costruzione in resina epossidica magnetica. L'uso di un pacchetto semi-scremato riduce il campo di dispersione e può anche essere estremamente basso profilo e con bassa RDC. Raccomandato per la saldatura a riflusso nell'assemblaggio PCB.

Caratteristiche del Prodotto
  • Rivestimento in resina magnetica sulla bobina
  • effetto semi-scolpito per ridurre il campo di dispersione
  • AEC-Q200
  • Temperatura di funzionamento: -55°C ~ +150°C (incluso l'aumento di temperatura autonomo)
Applicazioni del Prodotto
  • Telematica
  • Informazione
  • BCM
Categoria di Prodotto Induttore di potenza - Induttore schermato Tolleranza ±20%
Numero di Parte MRN8040100MHB RDC (Ω) 0.061
Grado Automobilistico Isat. (A) 4.8
Lunghezza (mm) 8.15 Irms. (A) 3.1
Larghezza (mm) 7.9 Temperatura di funzionamento.°C (BASSA) -55
Altezza (mm) 4.2 Temperatura di funzionamento.°C (ALTA) 150
Induttanza (µH) 10
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Scheda tecnica dell'induttore semi-schemato serie MRN8040
Scheda tecnica dell'induttore semi-schemato serie MRN8040

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