Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico, AEC-Q200

Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico e AEC-Q200

33µH, 1A, induttore di potenza 5030, induttore semi-shielded - Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico e AEC-Q200
  • 33µH, 1A, induttore di potenza 5030, induttore semi-shielded - Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico e AEC-Q200

33µH, 1A, induttore di potenza 5030, induttore semi-shielded

MSN5030470MSB

Induttore di potenza SMD semi-shielded, grado automobilistico, AEC-Q200

Induttore di potenza SMD semi-shielded da 33uH, 1A, le caratteristiche del prodotto includono un rivestimento in resina magnetica sulla bobina. È progettato con una struttura semi-shielded perché può ridurre il campo di dispersione. Soddisfa anche il grado AEC-Q200 0.

Caratteristiche del prodotto
  • Rivestimento in resina magnetica sulla bobina
  • effetto semi-scolpito per ridurre il campo di dispersione
  • AEC-Q200
  • Temperatura di funzionamento: -55°C ~ +150°C (incluso l'aumento di temperatura autonomo)
Applicazioni del prodotto
  • Telematica
  • Informazione
  • BCM
Categoria di Prodotto Induttore di potenza - Induttore semi-shielded Tolleranza ±20%
Numero di parte MSN5030330MSB RDC (Ω) 0.41
Grado Automobilistico Isat. (A) 1.1
Lunghezza (mm) 5 Irms. (A) 1
Larghezza (mm) 5 Temperatura di funzionamento.°C (BASSA) -55
Altezza (mm) 3 Temperatura di funzionamento.°C (ALTA) 150
Induttanza (µH) 33
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Scheda tecnica dell'induttore semi-schemato MSN5030
Scheda tecnica dell'induttore semi-schemato MSN5030

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