Induttore a chip ceramico avvolto in filo RF professionale da 47nH per applicazioni RF.

Induttore ceramico 0402 ad alte prestazioni con tolleranza del 2%, alto fattore Q e frequenza di auto-risonanza superiore per progetti di circuiti RF esigenti.

47nH, 350mA, induttore RF 0402, induttore a chip in ceramica avvolto in filo - Induttore a chip in ceramica avvolto in filo RF ad alta Q e SRF
  • 47nH, 350mA, induttore RF 0402, induttore a chip in ceramica avvolto in filo - Induttore a chip in ceramica avvolto in filo RF ad alta Q e SRF

47nH, 350mA, induttore RF 0402, induttore a chip in ceramica avvolto in filo

SWI0402CM47N

Induttore a chip in ceramica avvolto in filo RF, grado generale

Gli induttori a chip in ceramica avvolti in filo 47nH, 350mA, della serie SWI CM sono disponibili nelle dimensioni di case 0402 e 0603 con una tolleranza minima del 2%, materiale ceramico con alta frequenza di risonanza propria (SRF) e alto fattore Q, rendendoli ideali per circuiti di adattamento RF, circuiti di filtro in grado di gestire alti livelli di corrente e circuiti di adattamento per antenne.

Caratteristiche del prodotto
  • Frequenza di auto-risonanza (SRF) più alta
  • Alto fattore Q
  • Tolleranza stretta disponibile al 2%
  • Temperatura di funzionamento: -40°C ~ +125°C (incluso l'aumento di temperatura auto-generato)
Applicazioni del prodotto
  • I circuiti di adattamento RF richiedono caratteristiche del fattore Q
  • Circuiti di filtro in grado di gestire alti livelli di corrente
  • Circuiti di adattamento dell'antenna
Categoria di ProdottoInduttore RF - Induttore a chip avvolto in filo ceramicoInduttanza (µH)0.047
Numero di parteSWI0402CM47NTolleranza±2%
GradoGeneraleRDC (Ω)1.08
Lunghezza (mm)1IDC (A)0.35
Larghezza (mm)0.55Temperatura di funzionamento.°C (BASSA)-40
Altezza (mm)0.5Temperatura di funzionamento.°C (ALTA)125
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Scheda tecnica dell'induttore a chip ceramico RF avvolto in filo serie SWI0402CM
Scheda tecnica dell'induttore a chip ceramico RF avvolto in filo serie SWI0402CM

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Come puoi garantire che i tuoi circuiti di abbinamento RF raggiungano un abbinamento di impedenza ottimale con perdite di inserzione minime e massima larghezza di banda?

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