ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
2.7µH, 5.5A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN80402R7YL
2.7µH, 5.5A, 8040 Полуэкраненный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
3.6µH, 5.3A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN80403R6YL
Индуктивность 3.6µH, 5.3A, полузащищенный силовой индуктивный...
Подробности Добавить в список
4.7µH, 4.7A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN80404R7YL
Индуктор питания RN8040 серии с полупроводниковым экранированием...
Подробности Добавить в список
6.8µH, 4.2A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN80406R8YL
Индуктивность 6.8µH, 4.2A, полузащищенный силовой индуктивный...
Подробности Добавить в список
8.2µH, 4A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN80408R2YL
Индуктивность 8.2µH, 4A, серия RN8040 полузащищенных силовых...
Подробности Добавить в список
10µH, 3.4A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN8040100ML
10µH, 3.4A, 8040 Полуэкраненный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
15µH, 2.7A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN8040150ML
15µH, 2.7A, 8040 Полуэкраненный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
22µH, 2.2A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN8040220ML
22µH, 2.2A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
33µH, 1.9A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN8040330ML
33µH, 1.9A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
47µH, 1.5A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN8040470ML
47µH, 1.5A, 8040 Полуэкраненный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
68µH, 1.2A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
RN8040680ML
68µH, 1.2A, 8040 Полуэкраненный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
100µH, 1A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенный индуктивность
RN8040101ML
100µH, 1A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.