ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
33µH, 0.7A, 3015 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI3015CT330
33uH, 0.7A, 3015 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
39µH, 0.5A, 3015 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI3015CT390
39uH, 0.5A, 3015 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
47µH, 0.45A, 3015 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI3015CT470
47uH, 0.45A, полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
68µГн, 0.35А, 3015 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI3015CT680
68uH, 0.35A, 3015 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
82µH, 0.32A, 3015 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI3015CT820
82uH, 0.32A, 3015 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
100µH, 0.3A, 3015 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI3015CT101
100uH, 0.3A, 3015 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
0.82µH, 4.2A, 4018 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI4018CTR82
0.82µH, 4.2A, 4018 Полуэкранированный силовой индуктивный...
Подробности Добавить в список
1µH, 4.7A, 4018 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI4018CT1R0
Индуктивность TPI4018 серии 1µH, 4.7A, 4018 полусекретного...
Подробности Добавить в список
1.2µH, 4A, 4018 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI4018CT1R2
1.2µH, 4A, 4018 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
1.5µH, 3.5A, 4018 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI4018CT1R5
Индуктивность TPI4018 серии 1.5µH, 3.5A, 4018 полусекретного...
Подробности Добавить в список
2.2µH, 3A, 4018 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI4018CT2R2
Индуктивность TPI4018 серии 2.2µH, 3A, полузащищенный силовой...
Подробности Добавить в список
2.7µH, 2.4A, 4018 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
TPI4018CT2R7
Индуктор питания TPI4018 серии с полуполной защитой 2.7µH,...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.