ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
1.5µH, 8.15A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80401R5YF
1.5µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
2.2µH, 7.1A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80402R2YF
2.2µH, A, 8040 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
3.3µH, 6.5A, 8040 силовой индуктивный элемент, полузащищенный индуктивный элемент
ESN80403R3YF
3.3µH, A, 8040 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
3.6µH, 6.5A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80403R6YF
3.6µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
4.7µH, 5.9A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80404R7YF
4.7µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
5.6µH, 5.5A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80405R6YF
5.6µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
6.8µH, 4.55A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80406R8MF
6.8µH, A, 8040 Полуэкранированный силовой индуктивный...
Подробности Добавить в список
8.2µH, 4.2A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN80408R2MF
8.2µH, A, 8040 полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
10µH, 3.6A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040100MF
10µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
12µH, 3.3A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040120MF
12µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
15µH, 2.95A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040150MF
15µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
18µH, 2.7A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040180MF
18µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.