ABC ATEC Полуэкранированные силовые индуктивные элементы | Производство, сертифицированное IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
220µH, 0.85A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040221MF
220µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
330µH, 0.68A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040331MF
330µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
470µH, 0.6A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040471MF
470µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
560µH, 0.59A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040561MF
560µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
680µH, 0.5A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040681MF
680µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
1000µH, 0.4A, 8040 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
ESN8040102MF
1000µH, A, 8040 Полузащищенный силовой индуктивный элемент...
Подробности Добавить в список
0.22µH, 21.2A 4020 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
SN4020R22YS
Индуктивности SN4020 серии с полупотенциальным экранированием...
Подробности Добавить в список
0.47µH, 12.3A 4020 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
SN4020R47YS
0.47µH, 12.3A, 4020 полусекретные силовые индуктивности серии...
Подробности Добавить в список
0.68µH, 10.8A 4020 силовой индуктивный элемент, полузащищенный индуктивный элемент
SN4020R68YS
0.68µH, 10.8A, 4020 полусекретные силовые индуктивности серии...
Подробности Добавить в список
1µH, 9.3A 4020 силовой индуктивный элемент, полузащищенный индуктивный элемент
SN40201R0YS
Индуктивности SN4020 серии с полусредней защитой 1µH,...
Подробности Добавить в список
1.5µH, 7.8A 4020 силовой индуктивность, полузащищенная индуктивность
SN40201R5MS
Индуктивности SN4020 серии с полупотенциальным экранированием...
Подробности Добавить в список
2.2µH, 6.3A 4020 силовой индуктивность, полузащищенный индуктивность
SN40202R2MS
Индуктивности SN4020 серии с полупотенциальным экранированием...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.