ABC ATEC Полуэкранированные силовые дроссели | Сертифицированное производство IATF16949
Полуэкранированные дроссели ABC ATEC имеют ферритовые сердечники с магнитным резиновым покрытием, обеспечивая производительность, подобную экранированию, по более низким ценам. Наша сертифицированная по IATF16949 производственная база гарантирует надежные силовые дроссели для автомобильной, промышленной и потребительской электроники с 45-летним опытом. Ознакомьтесь с нашим обширным ассортиментом полуэкранированных дросселей от 1µH до 22µH.
Полускрытый дроссель
Полускрытый дроссель с клеем, смешанным даже с маленькими частицами магнитного материала, затем покрытый снаружи катушки. Он может обеспечить почти экранирующий эффект при небольшом увеличении стоимости, что является высокоэффективным решением для устройств средней мощности.
4.7µH, 3.5A, 4030 Индуктивность, Полуэкранированная индуктивность
MSN40304R7YSB
4.7µH, 3.5A, 4030 Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
10µH, 2.2A, 4030 Индуктивность, Полуэкранированная индуктивность
MSN4030100MSB
10µH, 2.2A, 4030 Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
22µH, 1.5A, 4030 Индуктивность, Полуэкранированная индуктивность
MSN4030220MSB
22µH, 1.5A, 4030 Полуэкранированный SMD Автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 22µH, 1.25A, 4030, полускрытая индуктивность
MSN4030330MSB
Индуктивность питания 22µH, 1.25A, 4030 с полускрытой конструкцией...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 47µH, 1.05A, 4030, полускрытая индуктивность
MSN4030470MSB
Индуктивность питания 47µH, 1.05A, 4030 с полускрытой конструкцией...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 100µH, 0.7A, 4030, полускрытая индуктивность
MSN4030101MSB
Индуктивность питания 100µH, 0.7A, 4030 с полускрытой конструкцией...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 0.47µH, 7A, 5030, полускрытая индуктивность
MSN5030R47YSB
Индуктивность питания 0.47uH, 7A с полускрытой конструкцией...
Подробности Добавить в список
Индуктивность 1µH, 5A, 5030, полускрытая индуктивность
MSN50301R0YSB
Индуктивность питания 1uH, 5A с полускрытой конструкцией...
Подробности Добавить в список
1.5µH, 4.2A, 5030 силовой индуктивный элемент, полупотенциальный индуктивный элемент
MSN50301R5YSB
1.5uH, 4.2A полупотенциальный SMD автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
2.2µH, 3.7A, 5030 силовой индуктивный элемент, полупотенциальный индуктивный элемент
MSN50302R2YSB
2.2uH, 3.7A полупотенциальный SMD автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
4.7µH, 2.7A, 5030 силовой индуктивный элемент, полупотенциальный индуктивный элемент
MSN50304R7YSB
4.7uH, 2.7A полупотенциальный SMD автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
10µH, 1.7A, 5030 силовой индуктивный элемент, экранированный индуктивный элемент
MSN5030100MSB
10uH, 1.7A полупотенциальный SMD автомобильный силовой...
Подробности Добавить в список
Скачать 
Как полуукрашенные дроссели могут улучшить эффективность вашей схемы управления питанием, снижая при этом затраты?
Наши полузащищенные дроссели обеспечивают почти полное экранирование ЭМИ за небольшую часть стоимости полностью защищенных компонентов. С покрытием из смолы с магнитными частицами на ферритовых сердечниках, эти дроссели обеспечивают отличную производительность в DC-DC преобразователях и схемах управления питанием, одновременно снижая общие затраты на компоненты. Инженеры сообщают о снижении затрат до 15% без ущерба для производительности схемы или соблюдения норм ЭМИ. Запросите образцы для тестирования в вашем следующем проекте.
Каждый полузащищенный индуктивный компонент производится в соответствии с строгими стандартами качества IATF16949, что обеспечивает стабильную производительность и надежность. Серия 3015 имеет низкопрофильный SMD-дизайн, оптимизированный для приложений с ограниченным пространством, обеспечивая при этом превосходное сдерживание магнитного поля. С 45-летним опытом производства индуктивностей наши полузащищенные индуктивности обеспечивают идеальный баланс производительности, размера и экономической эффективности для современных электронных конструкций, требующих эффективного подавления ЭМИ и управления питанием.