Профессиональные решения для радиочастотных индуктивностей для высокочастотных приложений

ABC ATEC предлагает компактные многослойные чиповые индуктивности 3.9nH, разработанные для смартфонов и высокочастотных цепей с превосходными характеристиками.

3.9нГн, 300мА, 0603 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность - Индуктивность многослойного чипа высокой частоты
  • 3.9нГн, 300мА, 0603 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность - Индуктивность многослойного чипа высокой частоты

3.9нГн, 300мА, 0603 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность

MH06033N9DS

Многослойный чип-индуктивность, общий класс

3.9nH, 300mA, 0603 Многослойные чиповые индуктивности серии MH являются компактными, низкопрофильными компонентами с высокой собственной резонансной частотой (SRF), и керамический корпус может выдерживать рабочую температуру от -55°C до +125°C. Они хорошо подходят для использования в смартфонах, персональных устройствах и приложениях высокочастотных цепей.

Особенности продукта
  • Многослойная структура
  • Рабочая температура: -55°C ~ +125°C (включая самонагрев)
Применение продукта
  • Смартфоны, персональные устройства
  • Высокочастотные цепи
Категория продуктаRF индуктивность - многослойная чип-индуктивностьИндуктивность (мкГн)0.0039
Номер деталиMH06033N9DSДопуск±0.3nH
КлассОбщийRDC (Ω)0.27
Длина (мм)0.6IDC (A)0.3
Ширина (мм)0.3Рабочая температура °C (НИЗКАЯ)-55
Высота (мм)0.3Рабочая температура °C (ВЫСОКАЯ)125
Скачать
Технический паспорт многослойного чипового индуктора MH0603 Series
Технический паспорт многослойного чипового индуктора MH0603 Series

Включите размеры, электрические характеристики и графики для вашего справки

Скачать
Связанные продукты
3.9нГн, 400мА, 1005 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность - Индуктивность многослойного чипа высокой частоты
3.9нГн, 400мА, 1005 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность
MH10053N9DL

3.9nH, 400mA, 1005 Многослойные чиповые индуктивности серии...

Подробности Добавить в список
3.9nH, 600mA, 1608 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность - Индуктивность многослойного чипа высокой частоты
3.9nH, 600mA, 1608 RF индуктивность, многослойный чип-индуктивность
MH16083N9DL

3.9nH, 600mA, 1608 Многослойные чиповые индуктивности серии...

Подробности Добавить в список

Каталог продуктов

Каталог продуктов автомобильного класса 2025 года

Есть вопросы?

Связаться с нами

Подробнее

Как можно обеспечить надежную работу радиочастот в компактных дизайнах смартфонов, соблюдая строгие тепловые и размерные ограничения?

Многослойный чип-индуктор 3.9nH от ABC ATEC специально разработан для смартфонов с высокой производительностью по саморезонансной частоте в компактном форм-факторе 0603. Наша многослойная керамическая конструкция выдерживает экстремальные рабочие температуры (-55°C до +125°C), сохраняя при этом стабильные радиочастотные характеристики, что позволяет вам разрабатывать более компактные и эффективные беспроводные модули без ущерба для целостности сигнала. С 45-летним опытом производства индуктивных компонентов и сертификатом IATF16949 мы обеспечиваем надежность, необходимую для вашего массового производства смартфонов.

Наши многослойные чиповые индуктивности серии MH представляют собой кульминацию передовой инженерии радиочастотных компонентов, специально оптимизированных для беспроводных и высокочастотных приложений следующего поколения. С ультранизким DC-сопротивлением 0,27Ω и номинальной токовой способностью 300mA, этот RF-индуктор обеспечивает эффективную передачу сигнала, сохраняя тепловую стабильность в экстремальных условиях эксплуатации. Собственная многослойная технология производства ABC ATEC обеспечивает стабильную производительность и надежность в массовом производстве. Будь то проектирование передовых радиочастотных схем для смартфонов или разработка персональных беспроводных устройств, наше решение с многослойным чип-индуктором 0603 обеспечивает характеристики производительности, которые требуют ваши приложения. Свяжитесь с ABC ATEC сегодня, чтобы обсудить индивидуальные решения по RF-индукторам, адаптированные к вашим конкретным требованиям высокочастотных цепей.