
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
0,47µH, 7,5A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN4020R47YF
0,47µH, 7,5A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,68µH, 7A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN4020R68YF
0,68µH, 7A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 5.1A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN40201R0YF
1µH, 5.1A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,2µH, 4,7A, 4020 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN40201R2YF
1,2µH, 4,7A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 4,45A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN40201R5YF
1,5µH, 4,45A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,8µH, 4A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN40201R8YF
1,8µH, 4A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 3,4A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN40202R2MF
2,2µH, 3,4A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,7µH, 3,3A, 4020 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN40202R7MF
2,7µH, 3,3A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 3,2A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN40203R3MF
3,3µH, 3,2A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 2,35A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN40204R7MF
4,7µH, 2,35A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 2,2A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN40205R6MF
5,6µH, 2,2A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 2A, 4020 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN40206R8MF
6,8µH, 2A, 4020 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.