Halbgeschützte Leistungsinduktivitäten: Kostenwirksame EMI-Abschirmungslösung.

Ferritkern-Induktivitäten mit magnetischer Harzbeschichtung bieten optimale Leistung für mittlere Leistungsanwendungen mit hervorragendem Kosten-Leistungs-Verhältnis.

Teilabgeschirmter Induktor besteht aus Ferrit mit einer magnetischen Harzbeschichtung auf der Spule, um einen teilabgeschirmten Induktor herzustellen.

Teilabgeschirmter Induktor

Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.


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Teilabgeschirmter Induktor

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0,24µH, 3,7A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
0,24µH, 3,7A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2010R24MF

0,24 µH, 3,7 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer...

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0,33µH, 3A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
0,33µH, 3A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2010R33MF

0,33µH, 3A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...

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0,47µH, 2,3A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN2010R47MF

0,47µH, 2,3A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...

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0,56µH, 2,2A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
0,56µH, 2,2A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2010R56MF

0,56 µH, 2,2 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer...

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0,68µH, 1,95A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
0,68µH, 1,95A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2010R68MF

0,68µH, 1,95A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...

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1µH, 1,65A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
1µH, 1,65A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN20101R0MF

1 µH, 1,65 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer Kleberbeschichtungsstruktur,...

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1,5µH, 1,35A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
1,5µH, 1,35A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN20101R5MF

1,5µH, 1,35A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...

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2,2µH, 1,2A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
2,2µH, 1,2A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN20102R2MF

2,2 µH, 1,2 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtungsstruktur,...

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3,3µH, 1A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
3,3µH, 1A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN20103R3MF

3,3µH, 1A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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4,7µH, 0,75A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
4,7µH, 0,75A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN20104R7MF

4,7 µH, 0,75 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer...

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5,6µH, 0,73A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
5,6µH, 0,73A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
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5,6 µH, 0,73 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer...

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6,8µH, 0,7A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
6,8µH, 0,7A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN20106R8MF

6,8 µH, 0,7 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer Kleberbeschichtungsstruktur,...

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Ergebnis 133 - 144 von 627

Wie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?

Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.

Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.