
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
8,2µH, 0,68A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN20108R2MF
8,2 µH, 0,68 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen10µH, 0,65A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN2010100MF
10µH, 0,65A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen12µH, 0,62A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2010120MF
12 µH, 0,62 A, 2010 Halbgeschirmte Leistungsinduktivität der ESN-Serie mit magnetischer Kleberbeschichtungsstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen15µH, 0,5A, 2010 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2010150MF
15µH, 0.5A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen22µH, 0,32A, 2010 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN2010220MF
22µH, 0,32A, 2010 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,22µH, 3,6A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2510R22MF
0,22µH, 3,6A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,24µH, 3,6A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2510R24MF
0,24µH, 3,6A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,33µH, 3,6A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2510R33MF
0,33µH, 3,6A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,47µH, 2,8A, 2510 Leistungsinduktor, halb abgeschirmter Induktor
ESN2510R47MF
0,47µH, 2,8A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,68µH, 2,75A, 2510 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN2510R68MF
0,68µH, 2,75A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 2,05A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25101R0MF
1µH, 2,05A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 1,7A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25101R5MF
1,5µH, 1,7A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.