
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
2,2µH, 1,5A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25102R2MF
2,2µH, 1,5A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 1,1A, 2510 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN25103R3MF
3,3µH, 1,1A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 1A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25104R7MF
4,7µH, 1A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 0,9A, 2510 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN25105R6MF
5,6µH, 0,9A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 0,72A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25106R8MF
6,8µH, 0,72A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen8,2µH, 0,73A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25108R2MF
8,2µH, 0,73A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen10µH, 0,65A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2510100MF
10µH, 0,65A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen12µH, 0,58A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2510120MF
12µH, 0,58A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen15µH, 0,5A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2510150MF
15µH, 0,5A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen22µH, 0,4A, 2510 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN2510220MF
22µH, 0,4A, 2510 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,24µH, 4,1A, 2512 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN2512R24MF
0,24µH, 4,1A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,33µH, 4A, 2512 Leistungsinduktor, halb abgeschirmter Induktor
ESN2512R33MF
0,33µH, 4A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.