
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
0,47µH, 3,8A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2512R47MF
0,47µH, 3,8A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,56µH, 3,6A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN2512R56MF
0,56µH, 3,6A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,68µH, 3A, 2512 Leistungsinduktivität, halb abgeschirmte Induktivität
ESN2512R68M
0,68µH, 3A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 2,25A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25121R0MF
1µH, 2,25A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,2µH, 2,2A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25121R2MF
1,2µH, 2,2A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 2A, 2512 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN25121R5MF
1,5µH, 2A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,8µH, 1,95A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN25121R8MF
1,8µH, 1,95A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 1,75A, 2512 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN25122R2MF
2,2µH, 1,75A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,7µH, 1,3A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN25122R7MF
2,7µH, 1,3A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 1,2A, 2512 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN25123R3MF
3,3µH, 1,2A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 1,1A, 2512 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN25124R7MF
4,7µH, 1,1A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 1A, 2512 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN25125R6MF
5,6µH, 1A, 2512 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.