
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
4,7µH, 1,25A, 3012 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30124R7MF
4,7µH, 1,25A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 1,1A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30125R6MF
5,6µH, 1,1A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen6,8µH, 1A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30126R8MF
6,8µH, 1A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen10µH, 0,89A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN3012100MF
10µH, 0,89A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen15µH, 0,72A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012150MF
15µH, 0,72A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen22µH, 0,55A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012220MF
22µH, 0,55A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen27µH, 0,45A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012270MF
27µH, 0,45A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen33µH, 0,46A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012330MF
33µH, 0,46A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen39µH, 0,37A, 3012 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3012390MF
39µH, 0,37A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen47µH, 0,35A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN3012470MF
47µH, 0,35A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,24µH, 4,8A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3015R24YF
0,24µH, 4,8A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,3µH, 4,6A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3015R30YF
0,3µH, 4,6A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.