Halbgeschützte Leistungsinduktivitäten: Kostenwirksame EMI-Abschirmungslösung.

Ferritkern-Induktivitäten mit magnetischer Harzbeschichtung bieten optimale Leistung für mittlere Leistungsanwendungen mit hervorragendem Kosten-Leistungs-Verhältnis.

Teilabgeschirmter Induktor besteht aus Ferrit mit einer magnetischen Harzbeschichtung auf der Spule, um einen teilabgeschirmten Induktor herzustellen.

Teilabgeschirmter Induktor

Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.


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Teilabgeschirmter Induktor

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4,7µH, 1,25A, 3012 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
4,7µH, 1,25A, 3012 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30124R7MF

4,7µH, 1,25A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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5,6µH, 1,1A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
5,6µH, 1,1A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30125R6MF

5,6µH, 1,1A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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6,8µH, 1A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
6,8µH, 1A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30126R8MF

6,8µH, 1A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebstoffbeschichtung,...

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10µH, 0,89A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
10µH, 0,89A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN3012100MF

10µH, 0,89A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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15µH, 0,72A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
15µH, 0,72A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012150MF

15µH, 0,72A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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22µH, 0,55A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
22µH, 0,55A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012220MF

22µH, 0,55A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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27µH, 0,45A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
27µH, 0,45A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012270MF

27µH, 0,45A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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33µH, 0,46A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
33µH, 0,46A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN3012330MF

33µH, 0,46A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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39µH, 0,37A, 3012 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
39µH, 0,37A, 3012 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3012390MF

39µH, 0,37A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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47µH, 0,35A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
47µH, 0,35A, 3012 Leistungsinduktor, halbgeschützter Induktor
ESN3012470MF

47µH, 0,35A, 3012 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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0,24µH, 4,8A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
0,24µH, 4,8A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3015R24YF

0,24µH, 4,8A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...

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0,3µH, 4,6A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität - Semi-abgeschirmter SMD-Leistungsinduktor
0,3µH, 4,6A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3015R30YF

0,3µH, 4,6A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...

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Ergebnis 205 - 216 von 627

Wie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?

Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.

Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.