
Teilabgeschirmter Induktor
Teilabgeschirmter Induktor mit gemischtem Kleber, selbst mit kleinen magnetischen Materialpartikeln, die dann außen auf die Spule beschichtet werden. Er kann fast einen Abschirmeffekt zu geringeren Kosten erzielen, was eine kosteneffiziente Lösung für mittlere Leistungsgeräte darstellt.
0,47µH, 4A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3015R47YF
0,47µH, 4A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen0,56µH, 3,3A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN3015R56YF
0,56µH, 3,3A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit magnetischer Klebeschichtstruktur,...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1µH, 2,32A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30151R0YF
1µH, 2,32A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,2µH, 2,2A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30151R2YF
1,2µH, 2,2A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,5µH, 2A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30151R5YF
1,5µH, 2A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen1,8µH, 1,75A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30151R8YF
1,8µH, 1,75A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,2µH, 1,6A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30152R2MF
2,2µH, 1,6A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen2,7µH, 1,52A, 3015 Leistungsinduktor, halbgeschirmter Induktor
ESN30152R7YF
2,7µH, 1,52A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,3µH, 1,32A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30153R3MF
3,3µH, 1,32A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen3,9µH, 1,2A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30153R9MF
3,9µH, 1,2A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen4,7µH, 1,1A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30154R7MF
4,7µH, 1,1A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügen5,6µH, 1,05A, 3015 Leistungsinduktivität, halbgeschirmte Induktivität
ESN30155R6MF
5,6µH, 1,05A, 3015 halbgeschirmter Leistungsinduktor der ESN-Serie mit einer Struktur aus magnetischem...
Einzelheiten Zur Liste hinzufügenWie können halbgeschirmte Induktoren die Effizienz Ihres Leistungsmanagementschaltkreises verbessern und gleichzeitig die Kosten senken?
Unsere halbgeschirmten Induktivitäten bieten nahezu vollständigen EMI-Schutz zu einem Bruchteil der Kosten von vollständig geschirmten Komponenten. Mit einer mit magnetischen Partikeln durchsetzten Harzbeschichtung auf Ferritkernen bieten diese Induktivitäten hervorragende Leistung in DC-DC-Wandlern und Stromversorgungs-Schaltungen, während die Gesamtkosten der Stückliste (BOM) gesenkt werden. Ingenieure berichten von Einsparungen von bis zu 15 %, ohne die Leistung der Schaltung oder die Einhaltung der EMI-Vorgaben zu beeinträchtigen. Fordern Sie Muster an, um sie in Ihrem nächsten Design zu testen.
Jeder halbgeschirmte Induktor wird unter strengen IATF16949-Qualitätszertifizierungsstandards hergestellt, die eine konsistente Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Die 3015-Serie verfügt über ein flaches SMD-Design, das für platzbeschränkte Anwendungen optimiert ist und gleichzeitig eine überlegene Magnetfeldabschirmung bietet. Mit 45 Jahren Erfahrung in der Induktorfertigung bieten unsere halbgeschirmten Induktoren das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung, Größe und Kosten-Effizienz für moderne elektronische Designs, die eine effektive EMI-Unterdrückung und Energiemanagement erfordern.